Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6011END3TL1
Изображение служит лишь для справки
R6011END3TL1
- ROHM Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE
- Date Sheet
Lagernummer 322
- 1+: $3.01693
- 10+: $2.84616
- 100+: $2.68506
- 500+: $2.53308
- 1000+: $2.38969
Zwischensummenbetrag $3.01693
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:11A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:124W Tc
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:390m Ω @ 3.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:670pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:32nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):11A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.39Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:22A
- Минимальная напряжённость разрушения:600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):210 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 322
- 1+: $3.01693
- 10+: $2.84616
- 100+: $2.68506
- 500+: $2.53308
- 1000+: $2.38969
Итого $3.01693