Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQ3427AEEV-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQ3427AEEV-T1_GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET P-CH 60V 6TSOP
- Date Sheet
Lagernummer 13268
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.3A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:5W Tc
- Время отключения:26 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Опубликовано:2017
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество:1
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:5W
- Время задержки включения:8 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:95m Ω @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1000pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:22nC @ 10V
- Время подъема:24ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):33 ns
- Непрерывный ток стока (ID):-5.3A
- Пороговое напряжение:-2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.095Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:-60V
- Максимальная температура перехода (Тj):175°C
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):75 pF
- Высота:1.1mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 13268
Итого $0.00000