Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMK30EP,518
Изображение служит лишь для справки
PMK30EP,518
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
- Date Sheet
Lagernummer 70910
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:14.9A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:6.9W Tc
- Время отключения:56 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchMOS™
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e4
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):2 (1 Year)
- Количество выводов:8
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:8
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения:10 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:19m Ω @ 9.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2240pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:50nC @ 10V
- Время подъема:8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):21 ns
- Непрерывный ток стока (ID):14.9A
- Код JEDEC-95:MS-012AA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:-30V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.019Ohm
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 70910
Итого $0.00000