SI4463CDY-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI4463CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (9 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
VISHAY SI4463CDY-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
Date Sheet

Lagernummer 8121

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Поставщик упаковки устройства：8-SO
Вес：506.605978mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13.6A Ta 49A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.7W Ta 5W Tc
Время отключения：70 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2014
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Сопротивление：8mOhm
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2.7W
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8mOhm @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4250pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：162nC @ 10V
Время подъема：10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±12V
Время падения (тип)：11 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-13.6A
Пороговое напряжение：-600mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Сопротивление стока к истоку：6mOhm
Высота：1.75mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 8121

Итого $0.00000