(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPN7R506NH,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPN7R506NH,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Date Sheet
Lagernummer 31844
- 1+： $0.77856
- 10+： $0.73449
- 100+： $0.69292
- 500+： $0.65370
- 1000+： $0.61669
Zwischensummenbetrag $0.77856
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：700mW Ta 42W Tc
- Время отключения：20 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：16 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5mOhm @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 200μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1800pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V
- Время подъема：5.7ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：5.6 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：26A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Входной ёмкости：1.8nF
- Сопротивление стока к истоку：16mOhm
- Rds на макс.：7.5 mΩ
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 31844
- 1+： $0.77856
- 10+： $0.73449
- 100+： $0.69292
- 500+： $0.65370
- 1000+： $0.61669
Итого $0.77856
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
