FDD5N60NZTM

Name: ON Semiconductor FDD5N60NZTM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (9 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-Channel 600V 4A
Date Sheet

Lagernummer 11470

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：83W Tc
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：UniFET-II™
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：2Ohm
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：83W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2 Ω @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：600pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13nC @ 10V
Время подъема：20ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Код JEDEC-95：TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Высота：2.39mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 11470

Итого $0.00000