(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB6N60M2
Изображение служит лишь для справки
STB6N60M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 497
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
- Время отключения：24 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：MDmesh™ II Plus
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：1.2Ohm
- Основной номер части：STB6N
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：60W
- Время задержки включения：9.5 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 2.25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：232pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8nC @ 10V
- Время подъема：7.4ns
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Время падения (тип)：22.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：4.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Напряжение пробоя стока к истоку：600V
- Высота：9.35mm
- Длина：10.4mm
- Ширина：4.6mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 497
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
