(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPH1R403NL,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPH1R403NL,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
Date Sheet
Lagernummer 3729
- 1+： $1.64634
- 10+： $1.55315
- 100+： $1.46523
- 500+： $1.38230
- 1000+： $1.30405
Zwischensummenbetrag $1.64634
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP Advance (5x5)
- Вес：850.995985mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.6W Ta 64W Tc
- Время отключения：50 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：16 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 500μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4400pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：46nC @ 10V
- Время подъема：5.6ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：8.9 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：60A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Входной ёмкости：4.4nF
- Сопротивление стока к истоку：1.4mOhm
- Rds на макс.：1.4 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 3729
- 1+： $1.64634
- 10+： $1.55315
- 100+： $1.46523
- 500+： $1.38230
- 1000+： $1.30405
Итого $1.64634
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
