SI4477DY-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
VISHAY SI4477DY-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V
Date Sheet

Lagernummer 4366

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：186.993455mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26.6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3W Ta 6.6W Tc
Время отключения：100 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2015
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：8
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3W
Время задержки включения：42 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.2m Ω @ 18A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4600pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：190nC @ 10V
Время подъема：42ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±12V
Время падения (тип)：42 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-26.6A
Пороговое напряжение：-1.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0062Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Высота：1.5mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 4366

Итого $0.00000