SIJ420DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIJ420DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
VISHAY SIJ420DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 20 V, 2100 ohm, 10 V, 1.2 V
Date Sheet

Lagernummer 6200

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：4.8W Ta 62.5W Tc
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Код JESD-30：R-PSSO-G4
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：4.8W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：29 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.6m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3630pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：90nC @ 10V
Время подъема：16ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：13 ns
Непрерывный ток стока (ID)：50A
Пороговое напряжение：1.2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：32A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0026Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
Номинальное Vgs：1.2 V
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 6200

Итого $0.00000