(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STD9N60M2
Изображение служит лишь для справки
STD9N60M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Date Sheet
Lagernummer 1967
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：2
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
- Время отключения：22 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：MDmesh™ II Plus
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：780mOhm
- Основной номер части：STD9N
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：60W
- Время задержки включения：8.8 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：780m Ω @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：320pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10nC @ 10V
- Время подъема：7.5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Время падения (тип)：13.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Напряжение пробоя стока к истоку：650V
- Высота：2.4mm
- Длина：6.6mm
- Ширина：6.2mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1967
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
