FQPF2N80

Name: ON Semiconductor FQPF2N80
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 229

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Вес：2.27g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：35W Tc
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：800V
Моментальный ток：1.5A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：35W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.3 Ω @ 750mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：550pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：30ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：28 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.5A
Пороговое напряжение：5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：800V
Максимальный импульсный ток вывода：6A
Высота：9.19mm
Длина：10.16mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 229

Итого $0.00000