Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPH3300CNH,L1Q
![](https://static.whisyee.com/dimg/toshibasemiconductorandstorage-tph2900enhl1q-3110.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
TPH3300CNH,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
Date Sheet
Lagernummer 1107
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Количество контактов:8
- Вес:850.995985mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:18A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:1.6W Ta 57W Tc
- Время отключения:17 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:U-MOSVIII-H
- Опубликовано:2014
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Время задержки включения:16 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:33m Ω @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 300μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1100pF @ 75V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:10.6nC @ 10V
- Время подъема:5.8ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):5.1 ns
- Непрерывный ток стока (ID):18A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:150V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 1107
Итого $0.00000