(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTT80N20L
Изображение служит лишь для справки
IXTT80N20L
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Date Sheet
Lagernummer 341
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：520W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：Linear™
- Опубликовано：2010
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：520W
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：32m Ω @ 40A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6160pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：80A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.032Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：340A
- Минимальная напряжённость разрушения：200V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：2500 mJ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 341
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
