APTM100UM45DAG

Name: Microsemi Corporation APTM100UM45DAG
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.8 (7 reviews)

Microsemi Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SP6
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SP6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：215A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：5000W Tc
Время отключения：140 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Серия：POWER MOS 7®
Опубликовано：1999
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Число контактов：5
Код JESD-30：R-XUFM-X5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：5kW
Время задержки включения：18 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：52m Ω @ 107.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 30mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：42700pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1602nC @ 10V
Время подъема：14ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1000V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：55 ns
Непрерывный ток стока (ID)：215A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.052Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)：3200 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000