(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS84LT7G
Изображение служит лишь для справки
BSS84LT7G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- PFET SOT23 50V 130MA 10.0
Date Sheet
Lagernummer 4671
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：40 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：130mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：225mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10 Ω @ 100mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：36pF @ 5V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：50V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.13A
- Минимальная напряжённость разрушения：50V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 4671
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
