(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN62D1LFD-13
Изображение служит лишь для справки
DMN62D1LFD-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-UDFN
- MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
Date Sheet
Lagernummer 7950
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：22 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-UDFN
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：400mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4V
- Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
- Время отключения：21 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Капацитивность：32pF
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：2.1 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2 Ω @ 100mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：36pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.55nC @ 4.5V
- Время подъема：2.8ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：13.9 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：400mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 7950
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
