Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISS55EP06LMXTSA1
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
ISS55EP06LMXTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET P-CH 60V SOT23-3
Date Sheet
Lagernummer 4767
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:180mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:400mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:OptiMOS™
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.5 Ω @ 180mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 11μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:18pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:590pC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 4767
Итого $0.00000