Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIUD402ED-T1-GE3
![](https://static.whisyee.com/dimg/vishaysiliconix-siud403edt1ge3-1569.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SIUD402ED-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 0806
- MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Date Sheet
Lagernummer 34938
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® 0806
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.5V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния:1.25W Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2018
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:730m Ω @ 200mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:16pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.2nC @ 8V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
Со склада 34938
Итого $0.00000