(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CSD25501F3
Изображение служит лишь для справки
CSD25501F3
-
Texas Instruments
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-XFLGA
- 20V P CH MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 179
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-XFLGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.6A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：FemtoFET™
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：CSD25501
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：76m Ω @ 400mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.05V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：385pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.33nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：-20V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.125Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Длина：690μm
- Ширина：600μm
- Толщина：200μm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 179
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
