(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL11N4LLF5
Изображение служит лишь для справки
STL11N4LLF5
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-Ch 40 V 9.1 mOhm 15 A STripFET V
Date Sheet
Lagernummer 107
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2.9W Ta 50W Tc
- Время отключения：37 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：STripFET™ V
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Основной номер части：STL11
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：50W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：14 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.7m Ω @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1570pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.9nC @ 4.5V
- Время подъема：42ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：5.2 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：11A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Максимальный импульсный ток вывода：44A
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 107
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
