FDS3512

Name: ON Semiconductor FDS3512
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET SO-8
Date Sheet

Lagernummer 1889

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：9 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：130mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
Время отключения：24 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：4A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Время задержки включения：7 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70m Ω @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：634pF @ 40V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 10V
Время подъема：3ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Сопротивление открытого канала-макс：0.07Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：80V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1889

Итого $0.00000