Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIR402DP-T1-GE3

Изображение служит лишь для справки






SIR402DP-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET 30V 35A 36W 6.0mohm @ 10V
Date Sheet
Lagernummer 3334
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SO-8
- Количество контактов:8
- Вес:506.605978mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:35A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:4.2W Ta 36W Tc
- Время отключения:25 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2016
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:6mOhm
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-XDSO-C5
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:4.2W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:25 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6m Ω @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1700pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:42nC @ 10V
- Время подъема:20ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):15 ns
- Непрерывный ток стока (ID):35A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):20.7A
- Максимальный импульсный ток вывода:70A
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Высота:1.04mm
- Длина:4.9mm
- Ширина:5.89mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 3334
Итого $0.00000