(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPH1R306PL,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPH1R306PL,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- X35 Pb-f Power Mosfet Transistor SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
Date Sheet
Lagernummer 2504
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：960mW Ta 170W Tc
- Рабочая температура：175°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSIX-H
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.34m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8100pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：91nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 2504
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
