(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP75N04YUG-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP75N04YUG-E1-AY
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 8-Pin HSON T/R
Date Sheet
Lagernummer 6007
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1W Ta 138W Tc
- Время отключения：66 ns
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2010
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：27 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.8m Ω @ 37.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6450pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：116nC @ 10V
- Время подъема：10ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：6 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：75A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Минимальная напряжённость разрушения：40V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：450 pF
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 6007
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
