(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CDM22010-650 SL
Изображение служит лишь для справки
CDM22010-650 SL
-
Central Semiconductor Corp
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Date Sheet
Lagernummer 544
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2W Ta 156W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1 Ω @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1168pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：30V
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：10A
- Сопротивление открытого канала-макс：1Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：650V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 544
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
