(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD65R1K4CFDBTMA1
Изображение служит лишь для справки
IPD65R1K4CFDBTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A T/R
Date Sheet
Lagernummer 1
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：28.4W Tc
- Время отключения：33 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：CoolMOS™
- Опубликовано：2003
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Время задержки включения：8 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：262pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10nC @ 10V
- Время подъема：6ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：18.2 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：650V
- Напряжение пробоя стока к истоку：700V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
