(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2005UFGQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMN2005UFGQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
Date Sheet
Lagernummer 29
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：23 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A Ta 50A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：1.05W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.6m Ω @ 13.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6495pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：164nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 29
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
