(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TSM60N1R4CH C5G
Изображение служит лишь для справки
TSM60N1R4CH C5G
-
Taiwan Semiconductor Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поставщик упаковки устройства：TO-251 (IPAK)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.3A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：38W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4Ohm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：370pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.7nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
