FQU12N20TU

Name: ON Semiconductor FQU12N20TU
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET 200V N-Channel QFET
Date Sheet

Lagernummer 396

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：6 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Вес：343.08mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 55W Tc
Время отключения：30 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Моментальный ток：9A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：280m Ω @ 4.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：910pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23nC @ 10V
Время подъема：120ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：55 ns
Непрерывный ток стока (ID)：9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：9A
Сопротивление открытого канала-макс：0.28Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 396

Итого $0.00000