Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL4P2UH7

Изображение служит лишь для справки






STL4P2UH7
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-PowerWDFN
- Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin Power Flat EP T/R
Date Sheet
Lagernummer 424
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-PowerWDFN
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2.4W Tc
- Время отключения:40 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:DeepGATE™, STripFET™ VII
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STL4
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2.4W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:9 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:100m Ω @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:510pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4.8nC @ 4.5V
- Время подъема:21ns
- Угол настройки (макс.):±8V
- Время падения (тип):19 ns
- Непрерывный ток стока (ID):4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Максимальный сливовой ток (ID):4A
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 424
Итого $0.00000