SIS413DN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIS413DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® 1212-8
Transistor MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212
Date Sheet

Lagernummer 14342

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.7W Ta 52W Tc
Время отключения：45 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2015
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код JESD-30：S-PDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.7W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.4m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4280pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110nC @ 10V
Время подъема：11ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-14.7A
Пороговое напряжение：-2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0094Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Максимальный импульсный ток вывода：70A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.17mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 14342

Итого $0.00000