(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF9393TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF9393TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 322
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V 20V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
- Время отключения：55 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2010
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2.5W
- Время задержки включения：16 ns
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13.3m Ω @ 9.2A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 25μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1110pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
- Время подъема：44ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Время падения (тип)：49 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：9.2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
- Максимальный импульсный ток вывода：75A
- Высота：1.4986mm
- Длина：4.9784mm
- Ширина：3.9878mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 322
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
