(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPN60R2K0PFD7SATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPN60R2K0PFD7SATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-3
- MOSFET N-CH 600V
Date Sheet
Lagernummer 16699
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：6W Tc
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Серия：CoolMOS™PFD7
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2 Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 30μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：134pF @ 400V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.8nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 16699
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
