Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB5NK50Z-1

Изображение служит лишь для справки






STB5NK50Z-1
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
Date Sheet
Lagernummer 38658
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.4A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:70W Tc
- Время отключения:32 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:SuperMESH™
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Основной номер части:STB5N
- Число контактов:3
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:70W
- Время задержки включения:15 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.5 Ω @ 2.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.5V @ 50μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:535pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:28nC @ 10V
- Время подъема:10ns
- Угол настройки (макс.):±30V
- Время падения (тип):15 ns
- Непрерывный ток стока (ID):4.4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Напряжение пробоя стока к истоку:500V
- Максимальный импульсный ток вывода:17.6A
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 38658
Итого $0.00000