(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB5NK50Z-1
Изображение служит лишь для справки
STB5NK50Z-1
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
Date Sheet
Lagernummer 38658
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.4A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
- Время отключения：32 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：SuperMESH™
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Основной номер части：STB5N
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：70W
- Время задержки включения：15 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 2.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 50μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：535pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28nC @ 10V
- Время подъема：10ns
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：4.4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：500V
- Максимальный импульсный ток вывода：17.6A
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 38658
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
