IRFU1018EPBF

Name: Infineon Technologies IRFU1018EPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (13 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
Date Sheet

Lagernummer 22500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：56A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
Время отключения：55 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：8.4MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：110W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.4m Ω @ 47A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2290pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：69nC @ 10V
Время подъема：35ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：46 ns
Непрерывный ток стока (ID)：56A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：79A
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：88 mJ
Время восстановления：39 ns
Высота：6.22mm
Длина：6.7056mm
Ширина：2.3876mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 22500

Итого $0.00000