Изображение служит лишь для справки
SUM110P06-07L-E3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 15404
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks, 4 Days
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID):110 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0069 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:240 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):281 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):375 W
- Ток насыщения:1
Со склада 15404
Итого $0.00000