SI7119DN-T1-E3

Name: Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-E3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.9 (6 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Date Sheet

Lagernummer 472

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Материал：Zinc alloy
Вес：0.18 kg
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Максимальный ток утечки (ID)：1.2 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Operating ambient temperature：-25 to +60 °C
Purpose：fastening device for connecting metal conduit of MRP series to housing equipment
Класс защиты：IP54
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Тип：MB series inlet adapter
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Глубина：50.9 mm
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：1.1 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：5 A
Минимальная напряжённость разрушения：200 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1.25 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：52 W
Ток насыщения：1
Диаметр：(d1) - G 1 1/2"; through hole (D) - 48 mm; housing (D1) - 55 mm
Длина：50.9 mm

Со склада 472

Итого $0.00000