SI4816BDY-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI4816BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.9 (5 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,
Date Sheet

Lagernummer 15952

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Indicator type：dot
Класс защиты：IP65
Switching cycles (electric)：≥50000
Illumination voltage：12 V
Illuation color：bluemin
Relative humidity：45...85 %
Type of integrated circuit：PMIC
Kind of integrated circuit：PWM controller
Case：SOP8
Монтаж：SMD
Kind of package：reel,
LED operating life：≥40000 hours
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Максимальный ток утечки (ID)：5.8 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Частота：0.5MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PDSO-G8
Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：MS-012AA
Сопротивление открытого канала-макс：0.0185 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：2.4 W
Ток насыщения：1
Контакты：4Pin+2Pin
Диаметр：32 mm

Со склада 15952

Итого $0.00000