BUK9Y41-80E

Name: Nexperia BUK9Y41-80E
Brand: Nexperia
Rating: 4.7 (15 reviews)

Nexperia
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 80V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of integrated circuit：PMIC
Kind of integrated circuit：PWM controller
Case：SOP8
Монтаж：SMD
Kind of package：reel,
Класс защиты：IP65
Relative humidity：45...85 %
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NEXPERIA
Описание пакета：PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4
Максимальный ток утечки (ID)：24 A
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Частота：0.5MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
Код JESD-30：R-PSSO-G4
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：MO-235
Сопротивление открытого канала-макс：0.045 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：96 A
Минимальная напряжённость разрушения：80 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：25 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Ток насыщения：1
Контакты：2NO
Диаметр：22 mm

Со склада 0

Итого $0.00000