Изображение служит лишь для справки
SI7252DP-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 36.7A I(D), 100V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 49585
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:28 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Indicator type:ring
- Класс защиты:IP65
- Relative humidity:45...85 %
- LED operational lifetime:40000 hours minimum
- Button head shape and type:flat ring and button
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):36.7 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-C6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.017 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:80 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
- Контакты:2S+2S (screw)
- Диаметр:22 mm
Со склада 49585
Итого $0.00000