SI7113DN-T1-E3

Name: Vishay Intertechnologies SI7113DN-T1-E3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.6 (19 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 100V, 0.134ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK 1212-8
Date Sheet

Lagernummer 94783

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, POWERPAK 1212-8
Максимальный ток утечки (ID)：13.2 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-50 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Время отключения макс. (toff)：80 ns
Время включения макс. (ton)：38 ns
Type of integrated circuit：FLASH memory
Kind of memory：NAND Flash
Память：8Gb FLASH
Case：FBGA63
Kind of interface：parallel
Монтаж：SMD
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-PDSO-F5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.134 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：20 A
Минимальная напряжённость разрушения：100 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：11.25 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：52 W
Ток насыщения：1

Со склада 94783

Итого $0.00000