Изображение служит лишь для справки
IRFH5206TRPBF
- International Rectifier
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Indicator type:pictogram "ON"
- Класс защиты:IP65
- Relative humidity:45...85 %
- LED life span:≥40000 hours
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента:QFN
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
- Максимальный ток утечки (ID):16 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-N5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0067 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:350 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):87 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):100 W
- Ток насыщения:1
- Контакты:3Pin+2Pin
Со склада 0
Итого $0.00000