Изображение служит лишь для справки
SIHH100N60E-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
- Date Sheet
Lagernummer 172
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Date Of Intro:2018-09-17
- Максимальный ток утечки (ID):28 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):164 ns
- Время включения макс. (ton):133 ns
- Indicator type:Vandal-proof indicator series GQ8
- Номинальный ток:15 mA
- Номинальное напряжение:12-24 V
- Код ECCN:EAR99
- Цвет:green
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:S-PSSO-N4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:63 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):127 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):174 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):6 pF
Со склада 172
Итого $0.00000