Изображение служит лишь для справки
SQ2319ADS-T1_GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
- Date Sheet
Lagernummer 3283
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал корпуса:Nickel-Plated Brass
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Gross Weight:5.17
- Тип эмиттера:Flat Point
- Teral Type:Flexible Leadsmin
- Mounting Diameter:8 mm
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:End Of Life
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID):4.6 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):54 ns
- Время включения макс. (ton):36 ns
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Цвет:Red
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.075 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:18 A
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):8.4 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2.5 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):70 pF
- Ток насыщения:1
Со склада 3283
Итого $0.00000