IRFBC20

Name: Vishay Intertechnologies IRFBC20
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.7 (13 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Максимальный ток утечки (ID)：2.2 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Type of capacitor：ceramic
Kind of capacitor：MLCC
Монтаж：SMD
Case - inch：2225
Case - mm：5763
Capacitors series：KGM
Gross Weight：0.05
Допуск：±5%
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Капацитивность：10nF
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Глубина：1.5-1.8 mm
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Диэлектрик：C0G (NP0)
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Тип предохранителя：Polymeric Positive Temperature Coefficient Resettable Fuse Series SMD1206
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Диапазон рабочей температуры：-40...+85 °C
Код JEDEC-95：TO-220AB
Сопротивление открытого канала-макс：4.4 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：600 V
Текущий ток：1.5 A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：50 W
Трип-Ток：3.0 A
Высота：0.5-1.2 mm
Ширина：3.0-3.5 mm

Со склада 0

Итого $0.00000