IRFR13N20D

Name: Infineon Technologies AG IRFR13N20D
Brand: Infineon Technologies AG
Rating: 5 (17 reviews)

Infineon Technologies AG
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Описание пакета：PLASTIC, DPAK-3
Максимальный ток утечки (ID)：13 A
Температура работы-Макс：175 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252AA
Сопротивление открытого канала-макс：0.235 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：52 A
Минимальная напряжённость разрушения：200 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：130 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Ток насыщения：1

Со склада 0

Итого $0.00000