Изображение служит лишь для справки
SUD50P08-25L-E3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 80V, 0.0252ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Date Sheet
Lagernummer 13250436
- 1+: $1.83900
- 10+: $1.73491
- 100+: $1.63670
- 500+: $1.54406
- 1000+: $1.45666
Zwischensummenbetrag $1.83900
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Максимальный ток утечки (ID):50 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):310 ns
- Время включения макс. (ton):65 ns
- Код JESD-609:e3
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0252 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:40 A
- Минимальная напряжённость разрушения:80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):101 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):136 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):235 pF
- Ток насыщения:1
Со склада 13250436
- 1+: $1.83900
- 10+: $1.73491
- 100+: $1.63670
- 500+: $1.54406
- 1000+: $1.45666
Итого $1.83900