SIRA10BDP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIRA10BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.9 (6 reviews)

Lagernummer 2299

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：SOP-8
Date Of Intro：2018-03-26
Максимальный ток утечки (ID)：60 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Время отключения макс. (toff)：70 ns
Время включения макс. (ton)：55 ns
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0036 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：150 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：43 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：68 pF

Со склада 2299

Итого $0.00000