Изображение служит лишь для справки
SI5904DC-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHIPFET-8
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHIPFET-8
- Максимальный ток утечки (ID):3.1 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:PURE MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-C8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.075 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2.1 W
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000